Sony Corporation объявила о разработке нового 3-слойного CMOS датчика с DRAM для смартфонов. Новый датчик изображения состоит из обычного двухслойного CMOS датчика с задней подсветкой и слоя памяти DRAM.
Новый датчик обеспечивает высокую скорость считывания данных, что позволяет захватывать неподвижные изображения быстро движущихся объектов с минимальным искажениями фокальной плоскости и создавать видео со скоростью до 1000 кадров в секунду в формате Full HD (1920х1080 пикселей).
Память DRAM используется для временного хранения данных, что позволяет считать один стоп-кадр из 19,3 миллиона пикселей за 1/120 секунды.
Обычный 2-слойный датчик изображения CMOS
3-слойный датчик изображения CMOS с DRAM
Основные характеристики
| Эффективное количество пикселей | 5520 (Ш) × 3840 (В) 21,2 мегапикселя | |
|---|---|---|
| Размер изображения | Диагональ 7.73 мм (тип 1/2,3″) | |
| размер элементарной ячейки | 1.22μm (Ш) х 1.22μm (В) | |
| Частота кадров | Фото |
|
| Кино |
| |
| скорость считывания | 8.478 мс (4:3 19.3 Мп) / 6.962 мс (16:9 17,1 Мп) | |
| Источник питания | 2.5V / 1.8V / 1.1V | |
| Формат изображения | Bayer RAW | |
| Вывод | MIPI (CSI2) D-PHY 2.2Gbps/lane / C-PHY 2.0Gsps/lane | |
| Объем DRAM | 1 Гбит | |
Результаты разработки нового датчика были объявлены на Международной конференции (ISSCC) в Сан-Франциско, которая началась в воскресенье, 5 февраля 2017 года.
